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產(chǎn)品編號(hào):TNST

TNST 技術(shù)數(shù)據(jù) (下載)

          
產(chǎn)品描述:
TimetubeTM ---超高純單壁碳納米管---超高純單壁碳納米管（TNST）是先利用甲烷經(jīng)鈷催化劑催化裂解，然后在空氣中氧化制備得到的。此類(lèi)產(chǎn)品幾乎不含無(wú)定形碳。TNST具有高的燃點(diǎn)，起燃溫度可達(dá)620°C，可應(yīng)用于透明導(dǎo)電薄膜及其它科研和工業(yè)領(lǐng)域。利用TNST制備的透明導(dǎo)電薄膜片電阻不低于200ohm/sq，透光率不低于80%。
TNST 是制備碳納米管透明導(dǎo)電薄膜的一種優(yōu)良原材料。制備得到的透明導(dǎo)電薄膜可廣泛應(yīng)用于觸摸屏、平板顯示器、液晶顯示器及太陽(yáng)能電池領(lǐng)域。與傳統(tǒng)的銦錫氧化物鍍膜相比，碳納米管透明導(dǎo)電薄膜具有以下明顯優(yōu)勢(shì)：
                   1. 長(zhǎng)時(shí)間使用，具有穩(wěn)定的機(jī)械性能
                   2. 具有寬的透光譜帶
                   3. 在不損失薄膜均勻性的前提下，具有較高的片電阻
                   4. 成本低廉
Timesnano 能夠提供1-500gram 包裝規(guī)格的超高純單壁碳納米管（TNST）。
 

性質(zhì)	單位	超高純單壁碳納米管（移動(dòng)催化）	表征方法
		TNST
OD	nm	<2	HRTEM,Raman
純度（Purity）	wt%	>95	TGA & TEM
長(zhǎng)度（Length）	microns	5-30	TEM
SSA	m2/g	>490	BET
灰分（ASH）	wt%	<5	HRTEM,TGA
燃點(diǎn)	℃	610	TPO
Ig/Id	--	>20	Raman
OD=外徑(Outer Diameter)          SSA=比表面積(Specific Surface Area)

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