多年來,找到一種可靠方法制備相同結(jié)構(gòu)碳納米管的水平陣列,是困擾科學(xué)家們的一大難題。最近,研發(fā)人員開發(fā)出一種全新方法,合成出純度高達90%的相同結(jié)構(gòu)碳納米管水平陣列。
碳納米管(CNTs)因其優(yōu)越的力學(xué)、電學(xué)和熱學(xué)性能,被認為最有潛力取代硅用于下一代微電子器件。碳納米管可看成是由石墨片卷曲而成,但其合成過程完全不涉及卷曲,而是通過催化化學(xué)氣相沉積法,在催化劑粒子表面成核生長而成。催化劑既提供支撐結(jié)構(gòu),又催化碳氫鍵分解成碳原子形成碳納米管。
技術(shù)人員開發(fā)出一種利用碳納米管與催化劑對稱性匹配的外延生長的全新方法,通過對碳管成核效率的熱力學(xué)控制和生長速度的動力學(xué)控制,實現(xiàn)了結(jié)構(gòu)為手性指數(shù)(2m,m)類碳納米管陣列的富集生長。他們選用碳化鉬為催化劑,制備了純度高達90%、結(jié)構(gòu)為手性指數(shù)(12,6)的金屬性碳納米管水平陣列,密度為20根/微米。他們還用碳化鎢做催化劑,制備了結(jié)構(gòu)為手性指數(shù)(8,4)的半導(dǎo)體性碳納米管水平陣列,其純度可達80%。理論預(yù)測,這種方法純度可達99%,可見還有很大的發(fā)展空間。
技術(shù)人員表示,相同結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體性碳納米管水平陣列非常適合用來生產(chǎn)碳納米管晶體管,他們今后會繼續(xù)改進純度,并選擇性制備其他類型碳納米管結(jié)構(gòu)。